THz റേഡിയേഷൻ മേഖലയിലെ ഏറ്റവും പ്രധാനപ്പെട്ട സാങ്കേതികവിദ്യകളിലൊന്നാണ് ടെറാഹെർട്സ് ഉറവിടങ്ങൾ. THz വികിരണം നേടുന്നതിന് ധാരാളം മാർഗങ്ങൾ പ്രവർത്തനക്ഷമമാണെന്ന് തെളിയിക്കപ്പെട്ടിട്ടുണ്ട്.ഫോട്ടോണിക്‌സിൽ, വലിയ നോൺ-ലീനിയർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള നോൺലീനിയർ ഒപ്റ്റിക്കൽ ഡിഫറൻസ്-ഫ്രീക്വൻസി ജനറേഷൻ, ഉയർന്ന ഒപ്റ്റിക്കൽ കേടുപാടുകൾ ത്രെഷോൾഡ് നോൺലീനിയർ ക്രിസ്റ്റലുകൾ ഉയർന്ന പവർ, ട്യൂണബിൾ, പോർട്ടബിൾ, റൂം ടെമ്പറേച്ചർ ഓപ്പറേറ്റിംഗ് THz വേവ് എന്നിവ നേടുന്നതിനുള്ള ഒരു മാർഗമാണ്.GaSe, ZnGeP2(ZGP) നോൺ-ലീനിയർ ക്രിസ്റ്റലുകളാണ് കൂടുതലും പ്രയോഗിക്കുന്നത്.
മില്ലിമീറ്റർ & THz തരംഗത്തിൽ കുറഞ്ഞ ആഗിരണം ഉള്ള GaSe പരലുകൾ, ഉയർന്ന കേടുപാടുകൾ ഉള്ള ത്രെഷോൾഡ്, ഉയർന്ന സെക്കൻഡ് നോൺലിയർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് (d22 = 54 pm/V), ടെറാഹെർട്സ് തരംഗത്തെ 40μm ഉള്ളിലും നീളമുള്ള വേവ്ബാൻഡ് ട്യൂണബിൾ Thz വേവ് (40μm-ന് അപ്പുറം) പ്രോസസ്സ് ചെയ്യുന്നതിനും സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)] എന്നതിൽ മാച്ച് ആംഗിൾ ആകുമ്പോൾ 2.60 -39.07μm-ലും മാച്ച് ആംഗിൾ 12.19°-27.01°[eoe (e)-ൽ മാച്ച് ആംഗിൾ ചെയ്യുമ്പോൾ 2.60 -36.68μm ഔട്ട്‌പുട്ട് എന്നിവയും ട്യൂൺ ചെയ്യാവുന്ന THz വേവ് തെളിയിക്കപ്പെട്ടു. - ഒ = ഇ)].കൂടാതെ, 1.13°-84.71°[oee (o - e = e)] ൽ മാച്ച് ആംഗിൾ ആയിരിക്കുമ്പോൾ 42.39-5663.67μm ട്യൂണബിൾ THz വേവ് ലഭിച്ചു.
ഉയർന്ന ലീനിയർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ്, ഉയർന്ന താപ ചാലകത, ഉയർന്ന ഒപ്റ്റിക്കൽ കേടായ ത്രെഷോൾഡ് എന്നിവയുള്ള ZnGeP2 (ZGP) ക്രിസ്റ്റലുകളും മികച്ച THz ഉറവിടമായി ഗവേഷണം ചെയ്യപ്പെട്ടിട്ടുണ്ട്.ZnGeP2 ന് d36 = 75 pm/V-ൽ രണ്ടാമത്തെ നോൺലീനിയർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് ഉണ്ട്, ഇത് KDP ക്രിസ്റ്റലുകളുടെ 160 മടങ്ങാണ്.ZGP പരലുകളുടെ രണ്ട് തരം ഫേസ് മാച്ച് ആംഗിൾ (1.03°-10.34°[oee (oe = e)]& 1.04°-10.39°[oeo (oe= e)]) സമാന THz ഔട്ട്‌പുട്ട് (43.01 -5663.67μm), ഉയർന്ന കാര്യക്ഷമതയുള്ള നോൺ-ലീനിയർ കോഫിഫിഷ്യൻ്റ് ഉള്ളതിനാൽ ഒഇഒ തരം മികച്ച ചോയിസാണെന്ന് തെളിഞ്ഞു.വളരെക്കാലമായി, ടെറാഹെർട്സ് ഉറവിടമായി ZnGeP2 ക്രിസ്റ്റലുകളുടെ ഔട്ട്‌പുട്ട് പ്രോഫോർമൻസ് പരിമിതമായിരുന്നു, കാരണം മറ്റ് വിതരണക്കാരിൽ നിന്നുള്ള ZnGeP2 ക്രിസ്റ്റലിന് സമീപ ഇൻഫ്രാറെഡ് മേഖലയിൽ (1-2μm) ഉയർന്ന ആഗിരണം ഉണ്ട്: ആഗിരണം ഗുണകം >0.7cm-1 @1μm ഒപ്പം >0.06 cm-1@2μm.എന്നിരുന്നാലും, DIEN TECH ZGP(മോഡൽ: YS-ZGP) ക്രിസ്റ്റലുകൾ നൽകുന്നത് വളരെ കുറഞ്ഞ ആഗിരണം:ആഗിരണ ഗുണകം<0.35cm-1@1μm, <0.02cm-1@2μm.വിപുലമായ YS-ZGP ക്രിസ്റ്റലുകൾ കൂടുതൽ മികച്ച ഔട്ട്പുട്ടിൽ എത്താൻ ഉപയോക്താക്കളെ പ്രാപ്തരാക്കുന്നു.
റഫറൻസ്:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 ചിൻ.ഫിസി.Soc.
